近日，中国3D NAND Flash大厂长江存储 在美国对全球知名半导体厂商美光 Micron 提起诉讼，指控其侵犯其在美国的11项专利。

长江存储表示，此次诉讼涉及的专利包括3D NAND Flash及DRAM产品，涉及到的专利数量达到11项，其中部分专利甚至涉及到了96层、128层、176层和232层等不同层数的3D NAND Flash产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，并支付专利使用费。

值得注意的是，2023年11月，长江存储还曾在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

美光方面对于长江存储的指控表示保持沉默，并未对此作出回应。美光公司在声明中表示，不对未决诉讼发表评论。

这一案件将会在美国法院进行审理。据了解，这并非是我国半导体行业首次在美国发起专利诉讼，此前，华为也曾在美国对三星提起专利诉讼，并成功迫使三星支付了高达2.5亿美元赔偿金。 Suky

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