2月20日消息，据外媒报道，三星电子副会长兼联席CEO，负责存储芯片、晶圆代工等芯片业务的设备解决方案业务部门主管全永鉉 ，在上周到访了英伟达的总部。

从外媒的报道来看，全永鉉上周前往英伟达的总部，是有重要的业务，他携带有他们改进了设计的1b DRAM样品，1b DRAM将用于制造高带宽存储器 HBM 。

1b DRAM是第五代10nm制程工艺的DRAM，主要是用于制造HBM3E，三星电子去年打算开始用1b DRAM制造高带宽存储器，但遇到了良品率和过热的问题，英伟达也因此要求三星电子改进他们1b DRAM的设计。全永鉉上周前往英伟达总部所携带的样品，正是设计改进后的成果。

外媒在报道中提到，三星电子芯片业务部门的主管亲自向客户展示样品非常罕见，但这也凸显了他们对英伟达及HBM3E订单的重视。全永鉉亲自到英伟达总部，很可能还是为了确保来自英伟达的订单。

在报道中，外媒还提到，在1b DRAM出现良品率和过热的问题之后，三星电子曾打算采用1a DRAM，也就是1b DRAM的前一代，制造HBM3E，在HBM4上则是跳过1b DRAM，采用1c DRAM，但英伟达还是要求他们采用1b DRAM制造HBM3E，三星电子方面也因此对1b DRAM的设计进行改进，以克服所遇到的问题。

HBM是英伟达为OpenAI、Meta、xAI等厂商供应的人工智能芯片的重要组成部分，较DRAM价格更高，如果能获得英伟达的大单，就将大幅提升业绩。

与三星电子还在向英伟达提供样品、寻求获得订单不同，他们的竞争对手SK海力士，已经在向英伟达供应1b DRAM制造的HBM3E。 海蓝

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