随着生成式人工智能技术的飞速发展，中国在内存市场的地位日益增强，展现出巨大的增长潜力。
市场调研机构Counterpoint Research的最新报告显示，尽管中国内存制造商长鑫存储 在技术进步和国际法规挑战方面仍面临困难，但该公司正通过技术创新和市场扩张逐步缩小与全球行业领先企业的差距。
Counterpoint Research预测，到2024年，长鑫存储将占据全球DRAM总产能的13%，出货量占比约为6%，营收占比约为3.7%。该机构还预计，到2025年，长鑫存储的产能将接近美国内存巨头美光。
目前，长鑫存储的产量和营收相对较低，这主要是由于技术滞后、良率不高以及定价策略等问题。然而，这些差距预计将会逐渐缩小。2024年，长鑫存储每片晶圆的产量预计将比竞争对手少42%，而到2025年，这一差距将缩小至32%。
尽管如此，Counterpoint Research也强调，长鑫存储需要成功研发并应用高介电金属闸极 HKMG 晶体管技术，以进一步改善产品的功耗和速度。
Counterpoint Research研究总监MS Hwang表示，中国内存产业的兴起可能会重塑全球市场格局。尽管目前技术进步和良率提升方面仍面临挑战，但生成式AI和电动汽车等新兴应用的需求增长，将有助于中国在中低阶内存市场建立稳固的地位。
此外，长鑫存储还在积极推进高带宽内存 HBM 的研发和生产。该公司一方面在提升一代HBM的产能，另一方面已取得二代HBM2的重大突破，并向客户送样。预计到今年年中，长鑫存储将能够小规模量产HBM2。 Suky
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