韩国媒体报道，三星电子近日与长江存储达成了一项3D NAND混合键合专利许可协议，将从第10代V-NAND 开始，采用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术领域。
三星计划在2025年下半年开始量产下一代 NAND，预计该产品的堆叠层数将达到420至430层。随着层数的增加，尤其是超过400层时，底层外围电路的压力会显著提升，这可能影响芯片的可靠性。
为了克服这一挑战，三星决定在 NAND中引入W2W混合键合技术。这项技术通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，从而缩短了电气路径，提高了性能和散热能力，同时优化了生产效率。
长江存储四年前就已经将混合键合技术应用于3D NAND制造，并将其命名为“晶栈 Xtacking ”，同时构建了全面的专利布局。
业界人士指出，目前掌握3D NAND混合键合关键专利的公司美国的Xperi、中国的长江存储和中国台湾的台积电，这意味着三星几乎无法绕过长江存储的专利布局。
因此，三星选择了通过专利授权的方式来达成协议，而不是尝试规避专利，以此来降低未来可能出现的法律和市场风险，并加速其技术研发进程。
除了三星，SK海力士也正在开发适用于400层以上NAND产品的混合键合技术，未来他们也可能需要与长江存储签订专利授权协议。
业界人士预测，三星在 、V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，仍可能会依赖长江存储的专利技术。
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